三星 Samsung 850 EVO系列采用3D V-NAND(不通过传统的缩小cell单元来最求大容量,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量)闪存,主控制器是三星Samsung MGX,最大连续读写速度为550/520 MB/s,4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000。连续性能与上代840Pro基本一样,随机性能则有明显的提升。这款是mSATA接口的!
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