三星 Samsung 850 EVO系列采用3D V-NAND（不通过传统的缩小cell单元来最求大容量，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量）闪存，主控制器是三星Samsung MGX，最大连续读写速度为550/520 MB/s，4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000。连续性能与上代840Pro基本一样，随机性能则有明显的提升。

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